1N5809
Microsemi
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Contiene plomo / RoHS no conforme
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Parámetros del producto
- Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
- 875mV @ 4A
- Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
- 100V
- Velocidad
- Fast Recovery = 200mA (Io)
- Serie
- -
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 30ns
- embalaje
- Bulk
- Paquete / Cubierta
- B, Axial
- Temperatura de funcionamiento - Junction
- -65°C ~ 175°C
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 7 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Tipo de diodo
- Standard
- Descripción detallada
- Diode Standard 100V 3A Through Hole
- Corriente - Fuga inversa a Vr
- 5µA @ 100V
- Corriente - rectificada media (Io)
- 3A
- Capacitancia Vr, F
- 60pF @ 10V, 1MHz
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