STPSC4H065D
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Parámetros del producto
- Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
- 1.75V @ 4A
- Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
- 650V
- Paquete del dispositivo
- TO-220AC
- Velocidad
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Serie
- -
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 0ns
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-220-2
- Otros nombres
- 497-13443
- Temperatura de funcionamiento - Junction
- -40°C ~ 175°C
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Tipo de diodo
- Silicon Carbide Schottky
- Descripción detallada
- Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Through Hole TO-220AC
- Corriente - Fuga inversa a Vr
- 40µA @ 650V
- Corriente - rectificada media (Io)
- 4A
- Capacitancia Vr, F
- 200pF @ 0V, 1MHz
- Número de pieza base
- STPSC4H065
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