STR1P2UH7
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±8V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- SOT-23
- Serie
- STripFET™ H7
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 100 mOhm @ 700mA, 4.5V
- La disipación de energía (máximo)
- 350mW (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Otros nombres
- 497-15519-2
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 510pF @ 10V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 4.8nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 20V
- Descripción detallada
- P-Channel 20V 1.4A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 1.4A (Ta)
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