STU11N65M2
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- IPAK (TO-251)
- Serie
- MDmesh™ II Plus
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 670 mOhm @ 3.5A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 85W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Otros nombres
- 497-15043-5
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 410pF @ 100V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 12.5nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 650V
- Descripción detallada
- N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 7A (Tc)
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