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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Atosn STCOK > STW63N65DM2
STW63N65DM2
STMicroelectronics

STW63N65DM2

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    Parámetros del producto

    VGS (th) (Max) @Id
    -
    Vgs (Max)
    -
    Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
    Paquete del dispositivo
    TO-247
    Serie
    FDmesh™ II Plus
    RDS (Max) @Id, Vgs
    -
    La disipación de energía (máximo)
    -
    Paquete / Cubierta
    TO-247-3
    Temperatura de funcionamiento
    -
    Tipo de montaje
    Through Hole
    Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
    Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    145nC @ 100V
    Tipo FET
    N-Channel
    Característica de FET
    -
    Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    -
    Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
    Descripción detallada
    N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247
    Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    65A

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