RS1DL RUG
TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
- 1.3V @ 800mA
- Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
- 200V
- Paquete del dispositivo
- Sub SMA
- Velocidad
- Fast Recovery = 200mA (Io)
- Serie
- -
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 150ns
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- DO-219AB
- Otros nombres
- RS1DL RUG-ND
RS1DLRUG
- Temperatura de funcionamiento - Junction
- -55°C ~ 150°C
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 25 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Tipo de diodo
- Standard
- Descripción detallada
- Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
- Corriente - Fuga inversa a Vr
- 5µA @ 200V
- Corriente - rectificada media (Io)
- 800mA
- Capacitancia Vr, F
- 10pF @ 4V, 1MHz
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