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STL4P3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- PowerFlat™ (2x2)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ H6
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 56 mOhm @ 2A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 2.4W (Ta)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- 6-PowerWDFN
- Otros nombres
- 497-15510-2
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 38 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 639pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 6nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 30V
- Descripción detallada
- P-Channel 30V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 4A (Ta)
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