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IXFK24N100F
IXYS RF
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 5.5V @ 8mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-264 (IXFK)
- Serie
- HiPerRF™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 390 mOhm @ 12A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 560W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-264-3, TO-264AA
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 14 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 6600pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 195nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 1000V
- Descripción detallada
- N-Channel 1000V 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264 (IXFK)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 24A (Tc)
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