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STP11N60DM2
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ DM2
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 420 mOhm @ 5A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 110W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-220-3
- Otros nombres
- 497-16932
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 42 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 614pF @ 100V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 16.5nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 600V
- Descripción detallada
- N-Channel 600V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
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