8EWS10S
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Contiene plomo / RoHS no conforme
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Parámetros del producto
- Tensión - inversa de pico (máxima)
- Standard
- Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
- 8A
- Tensión - Desglose
- D-Pak
- Serie
- -
- Estado RoHS
- Tube
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Resistencia @ Si, F
- -
- Polarización
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Otros nombres
- *8EWS10S
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Número de pieza del fabricante
- 8EWS10S
- Descripción ampliada
- Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D-Pak
- configuración de diodo
- 50µA @ 1000V
- Descripción
- DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
- Corriente - Fuga inversa a Vr
- 1.1V @ 8A
- Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
- 1000V (1kV)
- Capacitancia Vr, F
- -55°C ~ 150°C
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