Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > STP20N65M5
STP20N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
Sin plomo / Cumple con RoHS
Solicitar precio y tiempo de entrega
STP20N65M5 están disponibles, podemos suministrar STP20N65M5, utilice el formulario de cotización de solicitud para solicitar STP20N65M5 pirce y plazo de entrega.Atosn.com un distribuidor profesional de componentes electrónicos.Tenemos un gran inventario y podemos realizar una entrega rápida, contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y los detalles del envío en la Parte # STP20N65M5. Incluya problemas de despacho de aduana para que coincida con su país, contamos con un equipo de ventas profesionaly equipo técnico, esperamos trabajar con usted.
Solicitar cotización
Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ V
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 190 mOhm @ 9A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 130W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-220-3
- Otros nombres
- 497-13538
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1345pF @ 100V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 650V
- Descripción detallada
- N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
productos similares
- STMicroelectronics STP20N65M5
- Hoja de datos STP20N65M5
- Hoja de datos STP20N65M5
- Hoja de datos de STP20N65M5 pdf
- Descargar la hoja de datos de STP20N65M5
- Imagen STP20N65M5
- STP20N65M5 parte
- ST STP20N65M5
- STMicroelectronics STP20N65M5