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EMD4DXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- Tensión - Colector-emisor (máx)
- 50V
- VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
- 250mV @ 300µA, 10mA
- Tipo de transistor
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Paquete del dispositivo
- SOT-563
- Serie
- -
- Resistor - Base del emisor (R2)
- 47 kOhms
- Resistor - Base (R1)
- 47 kOhms, 10 kOhms
- Potencia - Max
- 500mW
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- SOT-563, SOT-666
- Otros nombres
- EMD4DXV6T1G-ND
EMD4DXV6T1GOSTR
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 2 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frecuencia - Transición
- -
- Descripción detallada
- Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
- DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 5mA, 10V
- Corriente - corte del colector (Max)
- 500nA
- Corriente - colector (Ic) (Max)
- 100mA
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