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STL20N6F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A
Contiene plomo / RoHS no conforme
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Serie
- STripFET™ F7
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 5.4 mOhm @ 10A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 3W (Ta), 78W (Tc)
- embalaje
- Cut Tape (CT)
- Paquete / Cubierta
- 8-PowerVDFN
- Otros nombres
- 497-16117-1
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1600pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 60V
- Descripción detallada
- N-Channel 60V 100A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 100A (Tc)
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