IRF820
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Contiene plomo / RoHS no conforme
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-220AB
- Serie
- PowerMESH™ II
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 3 Ohm @ 1.5A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 80W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-220-3
- Otros nombres
- 497-2733-5
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 315pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 500V
- Descripción detallada
- N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
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