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STD120N4LF6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 3V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- DPAK
- Serie
- Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 4 mOhm @ 40A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 110W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Otros nombres
- 497-11097-2
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4300pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 80nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 40V
- Descripción detallada
- N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
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