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CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 3.2V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-220-3
- Serie
- NexFET™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 2.3 mOhm @ 100A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 375W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-220-3
- Otros nombres
- 296-37169-5
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 35 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Request inventory verification / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 12200pF @ 40V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 156nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 80V
- Descripción detallada
- N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 100A (Ta)
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