2N3636
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Parámetros del producto
- Tensión - Colector-emisor (máx)
- 175V
- VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
- 600mV @ 5mA, 50mA
- Tipo de transistor
- PNP
- Paquete del dispositivo
- TO-39
- Serie
- -
- Potencia - Max
- 1W
- embalaje
- Bulk
- Paquete / Cubierta
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Otros nombres
- 1086-20879
1086-20879-MIL
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 12 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frecuencia - Transición
- -
- Descripción detallada
- Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
- DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 50 @ 50mA, 10V
- Corriente - corte del colector (Max)
- 10µA
- Corriente - colector (Ic) (Max)
- 1A
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