2N6768
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- TO-3
- Serie
- -
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 400 mOhm @ 14A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 4W (Ta), 150W (Tc)
- embalaje
- Bulk
- Paquete / Cubierta
- TO-204AE
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 110nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 400V
- Descripción detallada
- N-Channel 400V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 14A (Tc)
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