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Parámetros del producto

VGS (th) (Max) @Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo
TO-220FN
Serie
-
RDS (Max) @Id, Vgs
95 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)
30W (Tc)
embalaje
Bulk
Paquete / Cubierta
TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica de FET
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
60V
Descripción detallada
N-Channel 60V 10A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
10A (Ta)

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