APT10035B2LLG
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 5V @ 2.5mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- T-MAX™ [B2]
- Serie
- POWER MOS 7®
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 350 mOhm @ 14A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 690W (Tc)
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-247-3 Variant
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 5185pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 186nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 1000V
- Descripción detallada
- N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 28A (Tc)
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