BDV65B
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Parámetros del producto
- Tensión - Colector-emisor (máx)
- 100V
- VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
- 2V @ 20mA, 5A
- Tipo de transistor
- NPN - Darlington
- Paquete del dispositivo
- SOT-93
- Serie
- -
- Potencia - Max
- 125W
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-218-3
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frecuencia - Transición
- -
- Descripción detallada
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 5A, 4V
- Corriente - corte del colector (Max)
- 1mA
- Corriente - colector (Ic) (Max)
- 10A
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