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BQ4013MA-85

BQ4013MA-85



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Parámetros del producto

Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
85ns
Suministro de voltaje
4.75 V ~ 5.5 V
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo
32-DIP Module (18.42x42.8)
Serie
-
embalaje
Tray
Paquete / Cubierta
32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
1Mb (128K x 8)
Interfaz de memoria
Parallel
Formato de memoria
NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 85ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
Número de pieza base
BQ4013
Tiempo de acceso
85ns

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