CSD13383F4
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 1.25V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±10V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- 3-PICOSTAR
- Serie
- FemtoFET™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 44 mOhm @ 500mA, 4.5V
- La disipación de energía (máximo)
- 500mW (Ta)
- embalaje
- Cut Tape (CT)
- Paquete / Cubierta
- 3-XFDFN
- Otros nombres
- 296-39991-1
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 35 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 291pF @ 6V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 2.6nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 12V
- Descripción detallada
- N-Channel 12V 2.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 2.9A (Ta)
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