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STH180N4F6-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- H2Pak-2
- Serie
- STripFET™ F6
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 2.4 mOhm @ 60A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 190W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 38 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 7735pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 130nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 40V
- Descripción detallada
- N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
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