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CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Contiene plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 1.3V @ 250µA
- Paquete del dispositivo
- 8-VSON (3.3x3.3)
- Serie
- NexFET™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 33 mOhm @ 7A , 8V
- Potencia - Max
- 2.5W
- embalaje
- Cut Tape (CT)
- Paquete / Cubierta
- 8-PowerTDFN
- Otros nombres
- 296-35526-1
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 35 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Contains lead / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1250pF @ 15V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 8.2nC @ 4.5V
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Característica de FET
- Logic Level Gate
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 30V
- Descripción detallada
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 27A
- Número de pieza base
- CSD87312
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