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Parámetros del producto

VGS (th) (Max) @Id
1.15V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo
SOT-323-3
Serie
-
RDS (Max) @Id, Vgs
200 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)
290mW (Ta), 1.67W (Tc)
embalaje
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta
SC-70, SOT-323
Otros nombres
1727-1229-2
568-10415-2
568-10415-2-ND
934064763115
PMF170XP,115-ND
PMF170XP115
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Característica de FET
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
20V
Descripción detallada
P-Channel 20V 1A (Ta) 290mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount SOT-323-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
1A (Ta)

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