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Parámetros del producto

VGS (th) (Max) @Id
1.25V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo
6-TSOP
Serie
-
RDS (Max) @Id, Vgs
55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta
SC-74, SOT-457
Otros nombres
1727-6483-2
568-8412-2
568-8412-2-ND
934064772115
PMN48XP115
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Característica de FET
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
20V
Descripción detallada
P-Channel 20V 4.1A (Ta) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
4.1A (Ta)

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