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STB8NM60T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- D2PAK
- Serie
- MDmesh™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 1 Ohm @ 2.5A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 100W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Otros nombres
- 497-5386-2
STB8NM60T4-ND
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 42 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 400pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 650V
- Descripción detallada
- N-Channel 650V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 8A (Tc)
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