SGSD200
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Parámetros del producto
- Tensión - Colector-emisor (máx)
- 80V
- VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
- 3.5V @ 80mA, 20A
- Tipo de transistor
- PNP - Darlington
- Paquete del dispositivo
- TO-247-3
- Serie
- -
- Potencia - Max
- 130W
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- TO-247-3
- Otros nombres
- 497-7422-5
SGSD200-ND
- Temperatura de funcionamiento
- -
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frecuencia - Transición
- -
- Descripción detallada
- Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
- DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 500 @ 10A, 3V
- Corriente - corte del colector (Max)
- 500µA
- Corriente - colector (Ic) (Max)
- 25A
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