STB6N65M2
Solicitar precio y tiempo de entrega
STB6N65M2 están disponibles, podemos suministrar STB6N65M2, utilice el formulario de cotización de solicitud para solicitar STB6N65M2 pirce y plazo de entrega.Atosn.com un distribuidor profesional de componentes electrónicos.Tenemos un gran inventario y podemos realizar una entrega rápida, contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y los detalles del envío en la Parte # STB6N65M2. Incluya problemas de despacho de aduana para que coincida con su país, contamos con un equipo de ventas profesionaly equipo técnico, esperamos trabajar con usted.
Solicitar cotización
Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- D2PAK
- Serie
- MDmesh™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 1.35 Ohm @ 2A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 60W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Otros nombres
- 497-15047-2
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 42 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 226pF @ 100V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 9.8nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 650V
- Descripción detallada
- N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
productos similares
- STMicroelectronics STB6N65M2
- Hoja de datos STB6N65M2
- Hoja de datos STB6N65M2
- Hoja de datos de STB6N65M2 pdf
- Descargar la hoja de datos de STB6N65M2
- Imagen STB6N65M2
- STB6N65M2 parte
- ST STB6N65M2
- STMicroelectronics STB6N65M2