STD70N10F4
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- DPAK
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 19.5 mOhm @ 30A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 125W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Otros nombres
- 497-8806-2
STD70N10F4-ND
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 5800pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 85nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 100V
- Descripción detallada
- N-Channel 100V 60A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 60A (Tc)
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