STD830CP40
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Parámetros del producto
- Tensión - Colector-emisor (máx)
- 400V
- VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
- 500mV @ 200mA, 1A
- Tipo de transistor
- NPN, PNP
- Paquete del dispositivo
- 8-DIP
- Serie
- -
- Potencia - Max
- 3W
- embalaje
- Tube
- Paquete / Cubierta
- 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Otros nombres
- 497-12244
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frecuencia - Transición
- -
- Descripción detallada
- Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A 3W Through Hole 8-DIP
- DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 18 @ 700mA, 5V
- Corriente - corte del colector (Max)
- 100µA
- Corriente - colector (Ic) (Max)
- 3A
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