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Parámetros del producto

VGS (th) (Max) @Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo
TO-220FP
Serie
FDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs
450 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)
35W (Tc)
embalaje
Tube
Paquete / Cubierta
TO-220-3 Full Pack
Otros nombres
497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
40nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica de FET
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
600V
Descripción detallada
N-Channel 600V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)

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