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STL110NS3LLH7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 2.3V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- PowerFlat™ (5x6)
- Serie
- STripFET™ H7
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 3.4 mOhm @ 14A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 4W (Ta), 75W (Tc)
- embalaje
- Original-Reel®
- Paquete / Cubierta
- 8-PowerVDFN
- Otros nombres
- 497-16038-6
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2110pF @ 25V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 13.7nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 30V
- Descripción detallada
- N-Channel 30V 120A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
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