STL11N6F7
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Serie
- STripFET™
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 12 mOhm @ 5.5A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 2.9W (Ta), 48W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- 8-PowerVDFN
- Otros nombres
- 497-16501-2
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tiempo de entrega estándar del fabricante
- 46 Weeks
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1035pF @ 30V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 60V
- Descripción detallada
- N-Channel 60V 11A (Ta) 2.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Ta)
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