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STV160NF02LT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Parámetros del producto
- VGS (th) (Max) @Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±15V
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete del dispositivo
- 10-PowerSO
- Serie
- STripFET™ II
- RDS (Max) @Id, Vgs
- 2.5 mOhm @ 80A, 10V
- La disipación de energía (máximo)
- 210W (Tc)
- embalaje
- Tape & Reel (TR)
- Paquete / Cubierta
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Otros nombres
- 497-3251-2
- Temperatura de funcionamiento
- 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Estado sin plomo / Estado RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4800pF @ 15V
- Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
- 160nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica de FET
- -
- Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
- 20V
- Descripción detallada
- N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
- 160A (Tc)
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